Co je dynamická paměť s náhodným přístupem (dram)? - definice z techopedie

Definice - Co znamená dynamická paměť s náhodným přístupem (DRAM)?

Dynamická paměť s náhodným přístupem (DRAM) je typ paměti s náhodným přístupem, která se používá ve výpočetních zařízeních (především v počítačích). DRAM ukládá každý kousek dat do samostatné pasivní elektronické součásti, která je uvnitř integrované desky s obvody. Každá elektrická součástka má dva stavy hodnoty v jednom bitu nazvaném 0 a 1. Tento únosce musí být obnoven, často informace mizí. DRAM má jeden kondenzátor a jeden tranzistor na bit, na rozdíl od statické paměti s náhodným přístupem (SRAM), která vyžaduje 6 tranzistorů. Použité kondenzátory a tranzistory jsou mimořádně malé. Na jeden paměťový čip se vejdou miliony kondenzátorů a tranzistorů.

Techopedia vysvětluje dynamickou paměť s náhodným přístupem (DRAM)

DRAM je dynamická paměť a SRAM je statická paměť. Čipy DRAM na desce plošných spojů se musí aktualizovat každých několik milisekund. To se provádí přepsáním dat do modulu. Čipy, které je třeba aktualizovat, jsou volatilní pamětí. DRAM přistupuje k paměti přímo, uchovává paměť na krátkou dobu a při vypnutí napájení ztrácí svá data. SRAM je nestálá paměť, která je statická a nevyžaduje aktualizaci. Protože SRAM je mnohem rychlejší, používá se v registrech a vyrovnávací paměti. SRAM uchovává data a provádí vyšší rychlosti než DRAM. Přestože je SRAM rychlejší, DRAM se používá častěji na základní desce, protože výroba je mnohem levnější.

Tři hlavní typy desek s obvody, které obsahují paměťové čipy, jsou duální řadové paměťové moduly (DIMM), jednotlivé řadové paměťové moduly (SIMM) a paměťové moduly Rambus (RIMM). Většina základních desek dnes používá moduly DIMM. Rychlost obnovení modulu pro DRAM je každých několik milisekund (1/1 000 sekundy). Toto osvěžení provádí řadič paměti umístěný na čipové sadě základní desky. Protože se pro automatickou aktualizaci používá logika obnovení, deska plošných spojů DRAM je poměrně složitá. Pro aktualizaci se používají různé systémy, ale všechny metody vyžadují, aby čítač sledoval řádek, který je třeba znovu aktualizovat. Buňky DRAM jsou uspořádány do čtvercové sady kondenzátorů, obvykle 1024 x 1024 buněk. Když je buňka ve stavu „čtení“, je načten celý řádek a aktualizace je zapsána zpět. Když je ve stavu „zápis“ celý řádek „přečten“, je změněna jedna hodnota a poté je přepsán celý řádek. V závislosti na systému existují čipy DRAM, které obsahují čítač, zatímco ostatní systémy se spoléhají na logiku periferní aktualizace, která zahrnuje čítač. Přístupová doba DRAM je kolem 60 nanosekund, zatímco SRAM může být až 10 nanosekund. Rovněž doba cyklu DRAM je mnohem delší než doba SRAM. Doba cyklu SRAM je kratší, protože není třeba zastavovat mezi přístupy a aktualizacemi.