Obsah:
Definice - Co znamená Phase Change Memory (PCM)?
Paměť fázové změny (PCM) je typ energeticky nezávislé paměti RAM, která ukládá data změnou stavu použitého materiálu, což znamená, že se na mikroskopické úrovni mění tam a zpět mezi amorfním a krystalickým stavem. PCM je považována za vznikající technologii.
PCM je 500 až 1 000krát rychlejší než normální flash paměť. Technologie PCM může také nabídnout nákladově efektivní, velkokapacitní a vysokohustotní trvalé úložiště v bezkonkurenčním měřítku.
Paměť fázové změny je známá také jako perfektní RAM, PCME, PRAM, PCRAM, unifikovaná paměť ovonic, chalkogenidová RAM a C-RAM.
Techopedia vysvětluje Phase Change Memory (PCM)
V amorfním stavu (nebo v neuspořádané fázi) má materiál v paměti PCM vysoký elektrický odpor. V krystalickém stavu (nebo uspořádané fázi) má menší odpor. Elektrický proud se tak může zapínat a vypínat tak, aby představoval digitální vysoký a nízký stav.
Jedná se o jednu z několika paměťových technologií, které soutěží o výměnu paměti flash, což má řadu problémů. Paměť změny fáze může nabídnout mnohem vyšší výkon tam, kde je vyžadováno rychlé psaní. Flash paměť se také zhoršuje s každým zábleskem napětí. Paměťová zařízení s fázovou změnou se také degradují, ale mnohem pomaleji. Životnost paměti s fázovými změnami je však omezena stromovou datovou strukturou zvanou generalizovaný příponový strom, tepelná expanze během programování, migrace kovů a další neznámé mechanismy.
Na rozdíl od flash paměti PCM nevyžaduje samostatný „mazací“ krok při změně uložených informací z jednoho na nulu nebo nula na jeden. PCM je tedy bitově proměnný a mnohem rychlejší jak pro čtení, tak pro zápis dat.
Několik známých organizací, například IBM, Intel, Samsung atd., Provádí výzkum technologie PCM. Někteří odborníci se domnívají, že PCM může být technologií ukládání dat budoucnosti, která nahradí pevné disky pevnými disky.
